Elemento | |
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49InÍndio114.81832
8 18 18 3 |
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Propriedades básicas | |
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Número atômico | 49 |
Massa atômica | 114.8183 amu |
Família de elementos | Outros metais |
Período | 5 |
Grupo | 13 |
Bloquear | p-block |
Ano de descoberta | 1863 |
Distribuição de isótopos |
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113In 4.29% |
Propriedades físicas | |
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Densidade | 7.31 g/cm3 (STP) |
(H) 8.988E-5 Meitnério (Mt) 28 | |
Fusão | 156.76 °C |
Hélio (He) -272.2 Carbono (C) 3675 | |
Ebulição | 2080 °C |
Hélio (He) -268.9 Tungstênio (W) 5927 |
Propriedades químicas | |
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Estados de oxidação (menos comum) | +3 (-5, -2, -1, 0, +1, +2) |
Potencial da primeira ionização | 5.786 eV |
Césio (Cs) 3.894 Hélio (He) 24.587 | |
Afinidade eletrônica | 0.384 eV |
Nobélio (No) -2.33 (Cl) 3.612725 | |
Eletro-negatividade | 1.78 |
Césio (Cs) 0.79 (F) 3.98 |
Raio atômico | |
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Raio covalente | 1.42 Å |
(H) 0.32 Francium (Fr) 2.6 | |
Van der Waals raio | 1.93 Å |
(H) 1.2 Francium (Fr) 3.48 | |
Raio metálico | 1.67 Å |
Berílio (Be) 1.12 Césio (Cs) 2.65 | |
Compostos | ||
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Fórmula | Nome | Estado de oxidação |
InBr | Brometo de índio (I) | +1 |
InCl | Cloreto de índio (i) | +1 |
InI | Iodeto de índio (i) | +1 |
In2O3 | Óxido de índio (III) | +3 |
InCl3 | Cloreto de índio (III) | +3 |
InSb | Antimonida de índio | +3 |
InAs | Arsenieto de índio | +3 |
InP | Fosfeto de índio | +3 |
In(CH3COO)3 | Acetato de índio | +3 |
In(ClO4)3 | Perclorato de índio | +3 |
In(NO3)3 | Nitrato de índio (III) | +3 |
In(OH)3 | Hidróxido de índio (III) | +3 |
Propriedades eletrônicas | |
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Elétrons por camada | 2, 8, 18, 18, 3 |
Configuração eletrônica | [Kr] 4d10 |
Modelo de átomo de Bohr
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Diagrama de caixa orbital
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Elétrons de valência | 3 |
Estrutura de pontos de Lewis |
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Visualização Orbital | |
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Elétrons | - |
Índio (In): Elemento da Tabela Periódica
Resumo
O índio (símbolo: In, número atômico: 49) representa um metal pós-transição macio, de cor branco-esverdeada, distinguido por propriedades físicas notáveis e aplicações tecnológicas especializadas. Localizado no grupo 13 da tabela periódica, o índio exibe predominantemente comportamento de oxidação trivalente, com química monovalente significativa sob condições específicas. O elemento demonstra excepcional maciez (dureza de Mohs 1,2), baixo ponto de fusão (156,6°C) e propriedades acústicas únicas quando deformado. Sua escassez na crosta terrestre (aproximadamente 0,25 ppm) exige extração exclusivamente como subproduto do processamento de minérios sulfetados de zinco e cobre. Sua importância industrial concentra-se em óxidos condutores transparentes, especialmente o óxido de índio e estanho (ITO) para displays eletrônicos, tecnologias de semicondutores compostos e aplicações metalúrgicas especializadas que requerem características de fusão em baixas temperaturas.
Introdução
O índio ocupa uma posição única entre os metais pós-transição, demonstrando propriedades químicas que conectam o comportamento metálico típico com características de semicondutores essenciais à eletrônica moderna. Posicionado entre o gálio e o tálio no grupo 13, o índio manifesta o aumento do efeito do par inerte, onde os elétrons 5s mostram relutância em participar da ligação química devido à estabilização relativística. Sua descoberta em 1863 por Ferdinand Reich e Hieronymous Theodor Richter, através de análise espectroscópica de minérios de zinco, marcou um avanço metodológico na química analítica. Sua configuração eletrônica [Kr]4d105s25p1 fornece três elétrons de valência, permitindo estados de oxidação In+ e In3+ com estabilidades termodinâmicas distintas. Aplicações tecnológicas contemporâneas exploram suas propriedades excepcionais em materiais condutores transparentes, semicondutores III-V e ligas de solda de precisão, onde pontos de fusão baixos e excelentes características de molhabilidade são vantajosos.
Propriedades Físicas e Estrutura Atômica
Parâmetros Atômicos Fundamentais
O índio apresenta número atômico 49 e massa atômica padrão de 114,818 ± 0,001 u, refletindo sua posição como o elemento estável mais pesado no grupo 13 abaixo do limiar do efeito do par inerte. A configuração eletrônica [Kr]4d105s25p1 demonstra preenchimento completo do subnível d, com o único elétron p governando grande parte da química do índio. Medidas de raio atômico indicam 167 pm para o raio metálico e 80 pm para o raio iônico In3+, consistentes com tendências periódicas que mostram contração após oxidação. A carga nuclear efetiva experimentada pelos elétrons de valência atinge aproximadamente 3,1, moderada pelo blindagem dos orbitais d preenchidos. Determinações do raio covalente posicionam o índio em 142 pm, intermediário entre o gálio (122 pm) e o tálio (145 pm), refletindo o aumento gradual do tamanho atômico no grupo apesar dos efeitos de contração relativística.
Características Físicas Macroscópicas
O índio apresenta-se como um metal lustroso, branco-prateado, com excepcional maleabilidade e ductilidade que permite ser cortado com facas comuns e deixa marcas visíveis em superfícies de papel. O elemento cristaliza-se em uma estrutura tetragonal de corpo centrado no grupo espacial I4/mmm, caracterizada pelos parâmetros de rede a = 325 pm e c = 495 pm, representando um arranjo cúbico de face centrada ligeiramente distorcido. A fusão ocorre em 429,75 K (156,6°C), significativamente mais baixa que a maioria dos metais, refletindo ligação metálica fraca devido à limitada deslocalização de elétrons. A ebulição ocorre em 2345 K (2072°C) sob condições padrão, resultando em uma faixa líquida incomum de aproximadamente 1915 K. A densidade determinada é de 7,31 g cm-3 a 298 K, intermediária entre o gálio (5,91 g cm-3) e o tálio (11,85 g cm-3). A condutividade térmica atinge 81,8 W m-1 K-1, enquanto a resistividade elétrica mede 83,7 nΩ m a 293 K, indicando caráter metálico moderado. Emissão acústica notável ocorre durante deformação mecânica, produzindo sons audíveis ("gritos") similares ao estanho quando dobrado, atribuída a fenômenos de maclagem cristalina durante fluxo plástico.
Propriedades Químicas e Reatividade
Estrutura Eletrônica e Comportamento de Ligação
A reatividade química do índio origina-se de sua configuração [Kr]4d105s25p1, onde o elétron 5p único participa prontamente de ligações, enquanto o par 5s2 mostra crescente relutância em participar devido à estabilização do efeito do par inerte. O elemento adota predominantemente o estado +3 através da doação dos três elétrons de valência, formando cátions In3+ com configuração de gás nobre. Alternativamente, manifesta o estado +1 ao perder apenas o elétron 5p, mantendo o par 5s2 devido à estabilização do efeito do par inerte. A formação de ligações envolve tipicamente hibridação sp3 em complexos In3+ tetraédricos, embora números de coordenação 4, 6 e 8 ocorram dependendo do tamanho e necessidades eletrônicas dos ligantes. Ligações covalentes em compostos organometálicos mostram energias de ligação In-C médias de 280-320 kJ mol-1, substancialmente mais fracas que os análogos de alumínio. A química de coordenação com doadores nitrogenados e oxigenados produz complexos estáveis com constantes de formação tipicamente entre 108 e 1012 M-1 para espécies In3+.
Propriedades Eletroquímicas e Termodinâmicas
Medidas de eletronegatividade posicionam o índio em 1,78 na escala de Pauling, refletindo capacidade moderada de atração eletrônica entre o gálio (1,81) e o tálio (1,62). As energias sucessivas de ionização são 558,3 kJ mol-1 para a primeira ionização, 1820,8 kJ mol-1 para a segunda e 2704 kJ mol-1 para a terceira, com o grande aumento entre segunda e terceira indicando preferência termodinâmica pelo estado +2 em vez de +3. Os potenciais de redução padrão variam significativamente com as condições da solução: In3+ + 3e- → In apresenta E° = -0,3382 V, enquanto In+ + e- → In mostra E° = -0,14 V, indicando maior estabilidade do índio metálico em relação a In+ do que a In3+. A afinidade eletrônica atinge -28,9 kJ mol-1, refletindo mínima tendência à formação de ânions. Cálculos de estabilidade termodinâmica revelam espécies In3+ geralmente mais estáveis em soluções aquosas, embora compostos In+ demonstrem poder redutor significativo com aplicações em química sintética.
Compostos Químicos e Formação de Complexos
Compostos Binários e Ternários
O óxido de índio In2O3 representa o óxido termodinamicamente estável, formado por oxidação direta em altas temperaturas ou decomposição térmica de hidróxidos e nitratos. O composto adota estrutura tipo corundum com In3+ ocupando sítios octaédricos, exibindo comportamento anfotérico que se dissolve tanto em ácidos fortes quanto em alcalinos concentrados. A entalpia de formação mede -925,8 kJ mol-1, indicando estabilidade termodinâmica substancial em relação aos elementos constituintes. Os trihalogenetos InF3, InCl3, InBr3 e InI3 formam-se por halogenação direta, com pontos de fusão decrescendo sistematicamente: InF3 (1170°C) > InCl3 (583°C) > InBr3 (420°C) > InI3 (207°C), refletindo redução nas energias reticulares com aumento do tamanho do ânion. Esses compostos atuam como ácidos de Lewis, aceitando pares de elétrons de moléculas doadoras com constantes de ligação comparáveis aos trihalogenetos de alumínio. A síntese de calcogenetos produz In2S3, In2Se3 e In2Te3 através de síntese direta, com estruturas cristalinas cúbicas e propriedades semicondutoras exploradas em aplicações fotocondutivas.
Química de Coordenação e Compostos Organometálicos
Complexos de coordenação de índio tipicamente exibem geometria octaédrica em torno de centros In3+, embora arranjos tetraédricos e planos quadrados ocorram com conjuntos específicos de ligantes. O In3+ aquoso existe como [In(H2O)6]3+ com cinética rápida de troca de água (kex ≈ 108 s-1 a 298 K), facilitando reações de substituição de ligantes. Ligantes quelantes como o ácido etilenodiaminotetraacético (EDTA) formam complexos altamente estáveis com valores log Kf superiores a 24, permitindo separações analíticas e aplicações em radiofarmácia. A química organometálica centra-se no trimetilíndio In(CH3)3, líquido incolor utilizado extensivamente na deposição de semicondutores III-V por vapor químico. O composto exibe simetria C3v com comprimento de ligação In-C de 216 pm e decompõe-se termicamente acima de 200°C para depositar filmes metálicos de índio. Complexos de ciclopentadienila de índio adotam estruturas poliméricas através de ligantes de ponte, contrastando com os análogos monoméricos de alumínio e refletindo reduzida capacidade de ligação π nos elementos mais pesados do grupo 13.
Ocorrência Natural e Análise Isotópica
Distribuição e Abundância Geoquímicas
O índio figura entre os elementos estáveis mais raros da crosta terrestre, com estimativas de abundância de 0,25 ± 0,05 ppm, comparável às concentrações de prata e mercúrio. Sua distribuição geoquímica segue comportamento calcófilo, concentrando-se em fases minerais sulfetadas durante diferenciação magmática e processos hidrotermais. Sua ocorrência principal envolve incorporação em traços na estrutura da esfalerita (ZnS) por substituição isomórfica, com concentrações típicas entre 10 e 100 ppm em depósitos de zinco economicamente viáveis. Ocorre também na calcopirita (CuFeS2), proporcionando recuperação secundária, embora concentrações raramente excedam 10 ppm. Minerais de índio raros incluem roquesita (CuInS2) e dzhalindita (In(OH)3), embora nenhum ocorra em concentrações economicamente viáveis. A fracionação geoquímica durante formação de minérios concentra o índio através de fluidos hidrotermais, com maiores enriquecimentos associados a depósitos epitermais e do tipo skarn com mineralização elevada de zinco e cobre.
Propriedades Nucleares e Composição Isotópica
O índio natural compõe-se de dois isótopos: 113In (4,29% de abundância), o único estável, e 115In (95,71% de abundância), com meia-vida extraordinariamente longa de 4,41 × 1014 anos por decaimento β- para 115Sn. A predominância do isótopo radioativo reflete síntese nuclear através de processos de captura lenta de nêutrons em ambientes estelares, onde a formação de 115In excede as taxas de produção de 113In. Estados de spin nuclear atribuem I = 9/2 para ambos isótopos, com momentos magnéticos de +5,5289 μN para 113In e +5,5408 μN para 115In, habilitando aplicações em ressonância magnética nuclear. As seções de captura de nêutrons térmicos atingem valores excepcionais: 12,1 barns para 113In e 202 barns para 115In, facilitando análises por ativação neutrônica e aplicações em controle de reatores nucleares. Isótopos artificiais variam de 97In a 135In, com 111In (meia-vida de 2,8 dias) servindo como radioisótopo médico importante para imagem diagnóstica por emissão gama em 171 e 245 keV.
Produção Industrial e Aplicações Tecnológicas
Metodologias de Extração e Purificação
A produção de índio ocorre exclusivamente como subproduto durante operações de fundição de zinco e cobre, com taxas de recuperação tipicamente entre 40% e 70% do metal contido, dependendo da otimização do processo. A extração primária inicia com a torrefação de concentrados sulfetados a 900-1000°C, quando o índio volatiliza parcialmente e concentra-se em poeiras e resíduos. Posteriormente, operações de lixiviação com soluções de ácido sulfúrico dissolvem o índio junto com zinco e outros metais, exigindo precipitação seletiva ou extração com solventes para separação. Resinas de troca iônica e extração com ácido fosfórico bis(2-etilhexila) alcançam purificação do índio a partir de soluções metálicas mistas, com recuperação usando ácido clorídrico diluído. A purificação final emprega refino eletrolítico em meios sulfato ou cloreto ácidos, produzindo índio metálico com pureza de 99,99%, adequado para aplicações eletrônicas. A capacidade global de produção atinge aproximadamente 1500 toneladas anuais, com China (60%), Coreia do Sul (20%) e Japão (15%) dominando as cadeias de suprimento. Os custos de processamento médios variam entre $200-400 por quilograma, refletindo requisitos complexos de separação e limitada disponibilidade de minérios.
Aplicações Tecnológicas e Perspectivas Futuras
Aplicações de condução transparente consomem aproximadamente 75% da produção global de índio, principalmente através de revestimentos de óxido de índio e estanho (ITO) em substratos de vidro para displays de cristal líquido, telas sensíveis ao toque e dispositivos fotovoltaicos. Filmes de ITO exibem resistência superficial de 10-100 Ω/quadrado mantendo transmissão óptica superior a 85% em comprimentos de onda visíveis, propriedades que não são superadas por materiais alternativos. Tecnologias de semicondutores compostos utilizam 15% do suprimento de índio para produzir InP, InAs, InSb e materiais relacionados em eletrônica de alta frequência, detectores infravermelhos e diodos emissores de luz. Aplicações metalúrgicas respondem por 8% do consumo através de soldas de baixo ponto de fusão, ligas para mancais e materiais de vedação especializados que exploram as excepcionais características de molhabilidade e propriedades térmicas do índio. Barras de controle em reatores nucleares incorporam ligas de prata-índio-cádmio contendo 15% de índio, aproveitando sua elevada seção de absorção de nêutrons térmicos para regulação de reatores. Aplicações emergentes incluem eletrônica flexível, síntese de pontos quânticos e tecnologias fotovoltaicas avançadas que requerem compostos de índio especializados. Preocupações com segurança do fornecimento impulsionam pesquisas em reciclagem de índio a partir de eletrônicos descartados e exploração de materiais alternativos, embora combinações únicas de propriedades sugiram importância tecnológica contínua apesar das restrições de escassez.
Desenvolvimento Histórico e Descoberta
A descoberta do índio emergiu de investigação espectroscópica sistemática de minérios de zinco em Freiberg, Saxônia, conduzida por Ferdinand Reich e Hieronymous Theodor Richter em 1863. A daltonismo de Reich exigiu colaboração com Richter para identificação de linhas espectrais, levando à observação de uma emissão azul brilhante desconhecida em 451,1 nm durante espectroscopia de chama de amostras dissolvidas. A coloração indigo distinta motivou o nome derivado do latim "indicum", referindo-se à assinatura espectral característica e não a associações geográficas com a Índia. Richter isolou o metal pela primeira vez em 1864 por redução eletrolítica, produzindo pequenas quantidades de índio puro para caracterização. Investigações iniciais revelaram maciez excepcional, baixo ponto de fusão e similaridades químicas com alumínio e gálio, estabelecendo sua posição no sistema periódico emergente. Aplicações industriais permaneceram limitadas até os anos 1920, quando ligas contendo índio foram usadas em mancais de motores de aeronaves durante desenvolvimento da aviação. Aplicações em semicondutores surgiram na década de 1950 com avanços em tecnologia de transistores, seguidas por aplicações em condutores transparentes a partir dos anos 1980, coincidindo com a comercialização de displays de cristal líquido. Pesquisas atuais concentram-se em propriedades quânticas, síntese de materiais avançados e métodos de produção sustentável, refletindo a transição do índio de curiosidade de laboratório para material tecnológico crítico.
Conclusão
O índio ocupa posição distinta entre os elementos por combinar propriedades físicas incomuns, comportamento químico especializado e aplicações tecnológicas críticas. Suas características de metal pós-transição, manifestadas através de efeitos do par inerte e estados de oxidação variáveis, oferecem insights fundamentais sobre tendências periódicas e influências relativísticas na ligação química. Sua relevância tecnológica em condutores transparentes, semicondutores compostos e metalurgia de precisão estabelece o índio como essencial para eletrônica moderna apesar de sua abundância natural extremamente limitada. Direções futuras de pesquisa compreendem métodos sustentáveis de recuperação, desenvolvimento de materiais alternativos e exploração de propriedades quânticas em tecnologias emergentes. A expansão contínua dos mercados de dispositivos eletrônicos sugere demanda persistente por materiais à base de índio, exigindo investigações contínuas em estratégias eficientes de produção, reciclagem e substituição para garantir suprimento adequado ao avanço tecnológico.

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