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Índio @ Tabela Periódica dos Elementos Químicos

12345678 910111213141516 1718
IIIIIIbIVb VbVIbVIIbVIIIbIb IIbIIIIVVVI VIIVIII
1H
1.0079
2He
4.0026
3Li
6.9412
4Be
9.0121
5B
10.811
6C
12.010
7N
14.006
8O
15.999
9F
18.998
10Ne
20.179
11Na
22.989
12Mg
24.305
13Al
26.981
14Si
28.085
15P
30.973
16S
32.065
17Cl
35.453
18Ar
39.948
19K
39.098
20Ca
40.078
21Sc
44.955
22Ti
47.867
23V
50.941
24Cr
51.996
25Mn
54.938
26Fe
55.845
27Co
58.933
28Ni
58.693
29Cu
63.546
30Zn
65.409
31Ga
69.723
32Ge
72.641
33As
74.921
34Se
78.963
35Br
79.904
36Kr
83.798
37Rb
85.467
38Sr
87.621
39Y
88.905
40Zr
91.224
41Nb
92.906
42Mo
95.942
43Tc
98.906
44Ru
101.07
45Rh
102.90
46Pd
106.42
47Ag
107.86
48Cd
112.41
49In
114.81
50Sn
118.71
51Sb
121.76
52Te
127.60
53I
126.90
54Xe
131.29
55Cs
132.90
56Ba
137.32
57La
138.90
72Hf
178.49
73Ta
180.94
74W
183.84
75Re
186.20
76Os
190.23
77Ir
192.21
78Pt
195.08
79Au
196.96
80Hg
200.59
81Tl
204.38
82Pb
207.21
83Bi
208.98
84Po
208.98
85At
209.98
86Rn
222.01
87Fr
223.01
88Ra
226.02
89Ac
227.02
104Rf
261.10
105Db
262.11
106Sg
266.12
107Bh
264.12
108Hs
269
109Mt
278
110Ds
281
111Rg
282
112Cn
285
113Nh
286
114Fl
289
115Mc
290
116Lv
293
117Ts
294
118Og
294
Lantanidios58Ce
140.11
59Pr
140.90
60Nd
144.24
61Pm
146.91
62Sm
150.36
63Eu
151.96
64Gd
157.25
65Tb
158.92
66Dy
162.50
67Ho
164.93
68Er
167.25
69Tm
168.93
70Yb
173.04
71Lu
174.96
Actinídios90Th
232.03
91Pa
231.03
92U
238.02
93Np
237.04
94Pu
244.06
95Am
243.06
96Cm
247.07
97Bk
247.07
98Cf
251.07
99Es
252.08
100Fm
257.09
101Md
258.09
102No
259.10
103Lr
260.10
Metais alcalinos Metais terrosos alcalinos Os metais de transição Outros metais Metaloides Não-metais Halogênios Gases nobres
Elemento

49

In

Índio

114.8183

2
8
18
18
3
Índio foto
Propriedades básicas
Número atômico49
Massa atômica114.8183 amu
Família de elementosOutros metais
Período5
Grupo13
Bloquearp-block
Ano de descoberta1863
Distribuição de isótopos
113In
4.29%
Propriedades físicas
Densidade 7.31 g/cm3 (STP)
(H) 8.988E-5
Meitnério (Mt) 28
Fusão156.76 °C
Hélio (He) -272.2
Carbono (C) 3675
Ebulição2080 °C
Hélio (He) -268.9
Tungstênio (W) 5927
Propriedades químicas
Estados de oxidação
(menos comum)
+3
(-5, -2, -1, 0, +1, +2)
Potencial da primeira ionização 5.786 eV
Césio (Cs) 3.894
Hélio (He) 24.587
Afinidade eletrônica 0.384 eV
Nobélio (No) -2.33
(Cl) 3.612725
Eletro-negatividade1.78
Césio (Cs) 0.79
(F) 3.98
Raio atômico
Raio covalente 1.42 Å
(H) 0.32
Francium (Fr) 2.6
Van der Waals raio 1.93 Å
(H) 1.2
Francium (Fr) 3.48
Raio metálico 1.67 Å
Berílio (Be) 1.12
Césio (Cs) 2.65
49InWebQC.OrgCovalenteMetálicoVan der Waals
Compostos
FórmulaNomeEstado de oxidação
InBrBrometo de índio (I)+1
InClCloreto de índio (i)+1
InIIodeto de índio (i)+1
In2O3Óxido de índio (III)+3
InCl3Cloreto de índio (III)+3
InSbAntimonida de índio+3
InAsArsenieto de índio+3
InPFosfeto de índio+3
In(CH3COO)3Acetato de índio+3
In(ClO4)3Perclorato de índio+3
In(NO3)3Nitrato de índio (III)+3
In(OH)3Hidróxido de índio (III)+3
Propriedades eletrônicas
Elétrons por camada2, 8, 18, 18, 3
Configuração eletrônica[Kr] 4d105s25p1
Modelo de átomo de Bohr
Modelo de átomo de Bohr
Diagrama de caixa orbital
Diagrama de caixa orbital
Elétrons de valência3
Estrutura de pontos de Lewis Índio Estrutura de pontos de Lewis
Visualização Orbital
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Elétrons-

Índio (In): Elemento da Tabela Periódica

Artigo de Revisão Científica | Série de Referência em Química

Resumo

O índio (símbolo: In, número atômico: 49) representa um metal pós-transição macio, de cor branco-esverdeada, distinguido por propriedades físicas notáveis e aplicações tecnológicas especializadas. Localizado no grupo 13 da tabela periódica, o índio exibe predominantemente comportamento de oxidação trivalente, com química monovalente significativa sob condições específicas. O elemento demonstra excepcional maciez (dureza de Mohs 1,2), baixo ponto de fusão (156,6°C) e propriedades acústicas únicas quando deformado. Sua escassez na crosta terrestre (aproximadamente 0,25 ppm) exige extração exclusivamente como subproduto do processamento de minérios sulfetados de zinco e cobre. Sua importância industrial concentra-se em óxidos condutores transparentes, especialmente o óxido de índio e estanho (ITO) para displays eletrônicos, tecnologias de semicondutores compostos e aplicações metalúrgicas especializadas que requerem características de fusão em baixas temperaturas.

Introdução

O índio ocupa uma posição única entre os metais pós-transição, demonstrando propriedades químicas que conectam o comportamento metálico típico com características de semicondutores essenciais à eletrônica moderna. Posicionado entre o gálio e o tálio no grupo 13, o índio manifesta o aumento do efeito do par inerte, onde os elétrons 5s mostram relutância em participar da ligação química devido à estabilização relativística. Sua descoberta em 1863 por Ferdinand Reich e Hieronymous Theodor Richter, através de análise espectroscópica de minérios de zinco, marcou um avanço metodológico na química analítica. Sua configuração eletrônica [Kr]4d105s25p1 fornece três elétrons de valência, permitindo estados de oxidação In+ e In3+ com estabilidades termodinâmicas distintas. Aplicações tecnológicas contemporâneas exploram suas propriedades excepcionais em materiais condutores transparentes, semicondutores III-V e ligas de solda de precisão, onde pontos de fusão baixos e excelentes características de molhabilidade são vantajosos.

Propriedades Físicas e Estrutura Atômica

Parâmetros Atômicos Fundamentais

O índio apresenta número atômico 49 e massa atômica padrão de 114,818 ± 0,001 u, refletindo sua posição como o elemento estável mais pesado no grupo 13 abaixo do limiar do efeito do par inerte. A configuração eletrônica [Kr]4d105s25p1 demonstra preenchimento completo do subnível d, com o único elétron p governando grande parte da química do índio. Medidas de raio atômico indicam 167 pm para o raio metálico e 80 pm para o raio iônico In3+, consistentes com tendências periódicas que mostram contração após oxidação. A carga nuclear efetiva experimentada pelos elétrons de valência atinge aproximadamente 3,1, moderada pelo blindagem dos orbitais d preenchidos. Determinações do raio covalente posicionam o índio em 142 pm, intermediário entre o gálio (122 pm) e o tálio (145 pm), refletindo o aumento gradual do tamanho atômico no grupo apesar dos efeitos de contração relativística.

Características Físicas Macroscópicas

O índio apresenta-se como um metal lustroso, branco-prateado, com excepcional maleabilidade e ductilidade que permite ser cortado com facas comuns e deixa marcas visíveis em superfícies de papel. O elemento cristaliza-se em uma estrutura tetragonal de corpo centrado no grupo espacial I4/mmm, caracterizada pelos parâmetros de rede a = 325 pm e c = 495 pm, representando um arranjo cúbico de face centrada ligeiramente distorcido. A fusão ocorre em 429,75 K (156,6°C), significativamente mais baixa que a maioria dos metais, refletindo ligação metálica fraca devido à limitada deslocalização de elétrons. A ebulição ocorre em 2345 K (2072°C) sob condições padrão, resultando em uma faixa líquida incomum de aproximadamente 1915 K. A densidade determinada é de 7,31 g cm-3 a 298 K, intermediária entre o gálio (5,91 g cm-3) e o tálio (11,85 g cm-3). A condutividade térmica atinge 81,8 W m-1 K-1, enquanto a resistividade elétrica mede 83,7 nΩ m a 293 K, indicando caráter metálico moderado. Emissão acústica notável ocorre durante deformação mecânica, produzindo sons audíveis ("gritos") similares ao estanho quando dobrado, atribuída a fenômenos de maclagem cristalina durante fluxo plástico.

Propriedades Químicas e Reatividade

Estrutura Eletrônica e Comportamento de Ligação

A reatividade química do índio origina-se de sua configuração [Kr]4d105s25p1, onde o elétron 5p único participa prontamente de ligações, enquanto o par 5s2 mostra crescente relutância em participar devido à estabilização do efeito do par inerte. O elemento adota predominantemente o estado +3 através da doação dos três elétrons de valência, formando cátions In3+ com configuração de gás nobre. Alternativamente, manifesta o estado +1 ao perder apenas o elétron 5p, mantendo o par 5s2 devido à estabilização do efeito do par inerte. A formação de ligações envolve tipicamente hibridação sp3 em complexos In3+ tetraédricos, embora números de coordenação 4, 6 e 8 ocorram dependendo do tamanho e necessidades eletrônicas dos ligantes. Ligações covalentes em compostos organometálicos mostram energias de ligação In-C médias de 280-320 kJ mol-1, substancialmente mais fracas que os análogos de alumínio. A química de coordenação com doadores nitrogenados e oxigenados produz complexos estáveis com constantes de formação tipicamente entre 108 e 1012 M-1 para espécies In3+.

Propriedades Eletroquímicas e Termodinâmicas

Medidas de eletronegatividade posicionam o índio em 1,78 na escala de Pauling, refletindo capacidade moderada de atração eletrônica entre o gálio (1,81) e o tálio (1,62). As energias sucessivas de ionização são 558,3 kJ mol-1 para a primeira ionização, 1820,8 kJ mol-1 para a segunda e 2704 kJ mol-1 para a terceira, com o grande aumento entre segunda e terceira indicando preferência termodinâmica pelo estado +2 em vez de +3. Os potenciais de redução padrão variam significativamente com as condições da solução: In3+ + 3e- → In apresenta E° = -0,3382 V, enquanto In+ + e- → In mostra E° = -0,14 V, indicando maior estabilidade do índio metálico em relação a In+ do que a In3+. A afinidade eletrônica atinge -28,9 kJ mol-1, refletindo mínima tendência à formação de ânions. Cálculos de estabilidade termodinâmica revelam espécies In3+ geralmente mais estáveis em soluções aquosas, embora compostos In+ demonstrem poder redutor significativo com aplicações em química sintética.

Compostos Químicos e Formação de Complexos

Compostos Binários e Ternários

O óxido de índio In2O3 representa o óxido termodinamicamente estável, formado por oxidação direta em altas temperaturas ou decomposição térmica de hidróxidos e nitratos. O composto adota estrutura tipo corundum com In3+ ocupando sítios octaédricos, exibindo comportamento anfotérico que se dissolve tanto em ácidos fortes quanto em alcalinos concentrados. A entalpia de formação mede -925,8 kJ mol-1, indicando estabilidade termodinâmica substancial em relação aos elementos constituintes. Os trihalogenetos InF3, InCl3, InBr3 e InI3 formam-se por halogenação direta, com pontos de fusão decrescendo sistematicamente: InF3 (1170°C) > InCl3 (583°C) > InBr3 (420°C) > InI3 (207°C), refletindo redução nas energias reticulares com aumento do tamanho do ânion. Esses compostos atuam como ácidos de Lewis, aceitando pares de elétrons de moléculas doadoras com constantes de ligação comparáveis aos trihalogenetos de alumínio. A síntese de calcogenetos produz In2S3, In2Se3 e In2Te3 através de síntese direta, com estruturas cristalinas cúbicas e propriedades semicondutoras exploradas em aplicações fotocondutivas.

Química de Coordenação e Compostos Organometálicos

Complexos de coordenação de índio tipicamente exibem geometria octaédrica em torno de centros In3+, embora arranjos tetraédricos e planos quadrados ocorram com conjuntos específicos de ligantes. O In3+ aquoso existe como [In(H2O)6]3+ com cinética rápida de troca de água (kex ≈ 108 s-1 a 298 K), facilitando reações de substituição de ligantes. Ligantes quelantes como o ácido etilenodiaminotetraacético (EDTA) formam complexos altamente estáveis com valores log Kf superiores a 24, permitindo separações analíticas e aplicações em radiofarmácia. A química organometálica centra-se no trimetilíndio In(CH3)3, líquido incolor utilizado extensivamente na deposição de semicondutores III-V por vapor químico. O composto exibe simetria C3v com comprimento de ligação In-C de 216 pm e decompõe-se termicamente acima de 200°C para depositar filmes metálicos de índio. Complexos de ciclopentadienila de índio adotam estruturas poliméricas através de ligantes de ponte, contrastando com os análogos monoméricos de alumínio e refletindo reduzida capacidade de ligação π nos elementos mais pesados do grupo 13.

Ocorrência Natural e Análise Isotópica

Distribuição e Abundância Geoquímicas

O índio figura entre os elementos estáveis mais raros da crosta terrestre, com estimativas de abundância de 0,25 ± 0,05 ppm, comparável às concentrações de prata e mercúrio. Sua distribuição geoquímica segue comportamento calcófilo, concentrando-se em fases minerais sulfetadas durante diferenciação magmática e processos hidrotermais. Sua ocorrência principal envolve incorporação em traços na estrutura da esfalerita (ZnS) por substituição isomórfica, com concentrações típicas entre 10 e 100 ppm em depósitos de zinco economicamente viáveis. Ocorre também na calcopirita (CuFeS2), proporcionando recuperação secundária, embora concentrações raramente excedam 10 ppm. Minerais de índio raros incluem roquesita (CuInS2) e dzhalindita (In(OH)3), embora nenhum ocorra em concentrações economicamente viáveis. A fracionação geoquímica durante formação de minérios concentra o índio através de fluidos hidrotermais, com maiores enriquecimentos associados a depósitos epitermais e do tipo skarn com mineralização elevada de zinco e cobre.

Propriedades Nucleares e Composição Isotópica

O índio natural compõe-se de dois isótopos: 113In (4,29% de abundância), o único estável, e 115In (95,71% de abundância), com meia-vida extraordinariamente longa de 4,41 × 1014 anos por decaimento β- para 115Sn. A predominância do isótopo radioativo reflete síntese nuclear através de processos de captura lenta de nêutrons em ambientes estelares, onde a formação de 115In excede as taxas de produção de 113In. Estados de spin nuclear atribuem I = 9/2 para ambos isótopos, com momentos magnéticos de +5,5289 μN para 113In e +5,5408 μN para 115In, habilitando aplicações em ressonância magnética nuclear. As seções de captura de nêutrons térmicos atingem valores excepcionais: 12,1 barns para 113In e 202 barns para 115In, facilitando análises por ativação neutrônica e aplicações em controle de reatores nucleares. Isótopos artificiais variam de 97In a 135In, com 111In (meia-vida de 2,8 dias) servindo como radioisótopo médico importante para imagem diagnóstica por emissão gama em 171 e 245 keV.

Produção Industrial e Aplicações Tecnológicas

Metodologias de Extração e Purificação

A produção de índio ocorre exclusivamente como subproduto durante operações de fundição de zinco e cobre, com taxas de recuperação tipicamente entre 40% e 70% do metal contido, dependendo da otimização do processo. A extração primária inicia com a torrefação de concentrados sulfetados a 900-1000°C, quando o índio volatiliza parcialmente e concentra-se em poeiras e resíduos. Posteriormente, operações de lixiviação com soluções de ácido sulfúrico dissolvem o índio junto com zinco e outros metais, exigindo precipitação seletiva ou extração com solventes para separação. Resinas de troca iônica e extração com ácido fosfórico bis(2-etilhexila) alcançam purificação do índio a partir de soluções metálicas mistas, com recuperação usando ácido clorídrico diluído. A purificação final emprega refino eletrolítico em meios sulfato ou cloreto ácidos, produzindo índio metálico com pureza de 99,99%, adequado para aplicações eletrônicas. A capacidade global de produção atinge aproximadamente 1500 toneladas anuais, com China (60%), Coreia do Sul (20%) e Japão (15%) dominando as cadeias de suprimento. Os custos de processamento médios variam entre $200-400 por quilograma, refletindo requisitos complexos de separação e limitada disponibilidade de minérios.

Aplicações Tecnológicas e Perspectivas Futuras

Aplicações de condução transparente consomem aproximadamente 75% da produção global de índio, principalmente através de revestimentos de óxido de índio e estanho (ITO) em substratos de vidro para displays de cristal líquido, telas sensíveis ao toque e dispositivos fotovoltaicos. Filmes de ITO exibem resistência superficial de 10-100 Ω/quadrado mantendo transmissão óptica superior a 85% em comprimentos de onda visíveis, propriedades que não são superadas por materiais alternativos. Tecnologias de semicondutores compostos utilizam 15% do suprimento de índio para produzir InP, InAs, InSb e materiais relacionados em eletrônica de alta frequência, detectores infravermelhos e diodos emissores de luz. Aplicações metalúrgicas respondem por 8% do consumo através de soldas de baixo ponto de fusão, ligas para mancais e materiais de vedação especializados que exploram as excepcionais características de molhabilidade e propriedades térmicas do índio. Barras de controle em reatores nucleares incorporam ligas de prata-índio-cádmio contendo 15% de índio, aproveitando sua elevada seção de absorção de nêutrons térmicos para regulação de reatores. Aplicações emergentes incluem eletrônica flexível, síntese de pontos quânticos e tecnologias fotovoltaicas avançadas que requerem compostos de índio especializados. Preocupações com segurança do fornecimento impulsionam pesquisas em reciclagem de índio a partir de eletrônicos descartados e exploração de materiais alternativos, embora combinações únicas de propriedades sugiram importância tecnológica contínua apesar das restrições de escassez.

Desenvolvimento Histórico e Descoberta

A descoberta do índio emergiu de investigação espectroscópica sistemática de minérios de zinco em Freiberg, Saxônia, conduzida por Ferdinand Reich e Hieronymous Theodor Richter em 1863. A daltonismo de Reich exigiu colaboração com Richter para identificação de linhas espectrais, levando à observação de uma emissão azul brilhante desconhecida em 451,1 nm durante espectroscopia de chama de amostras dissolvidas. A coloração indigo distinta motivou o nome derivado do latim "indicum", referindo-se à assinatura espectral característica e não a associações geográficas com a Índia. Richter isolou o metal pela primeira vez em 1864 por redução eletrolítica, produzindo pequenas quantidades de índio puro para caracterização. Investigações iniciais revelaram maciez excepcional, baixo ponto de fusão e similaridades químicas com alumínio e gálio, estabelecendo sua posição no sistema periódico emergente. Aplicações industriais permaneceram limitadas até os anos 1920, quando ligas contendo índio foram usadas em mancais de motores de aeronaves durante desenvolvimento da aviação. Aplicações em semicondutores surgiram na década de 1950 com avanços em tecnologia de transistores, seguidas por aplicações em condutores transparentes a partir dos anos 1980, coincidindo com a comercialização de displays de cristal líquido. Pesquisas atuais concentram-se em propriedades quânticas, síntese de materiais avançados e métodos de produção sustentável, refletindo a transição do índio de curiosidade de laboratório para material tecnológico crítico.

Conclusão

O índio ocupa posição distinta entre os elementos por combinar propriedades físicas incomuns, comportamento químico especializado e aplicações tecnológicas críticas. Suas características de metal pós-transição, manifestadas através de efeitos do par inerte e estados de oxidação variáveis, oferecem insights fundamentais sobre tendências periódicas e influências relativísticas na ligação química. Sua relevância tecnológica em condutores transparentes, semicondutores compostos e metalurgia de precisão estabelece o índio como essencial para eletrônica moderna apesar de sua abundância natural extremamente limitada. Direções futuras de pesquisa compreendem métodos sustentáveis de recuperação, desenvolvimento de materiais alternativos e exploração de propriedades quânticas em tecnologias emergentes. A expansão contínua dos mercados de dispositivos eletrônicos sugere demanda persistente por materiais à base de índio, exigindo investigações contínuas em estratégias eficientes de produção, reciclagem e substituição para garantir suprimento adequado ao avanço tecnológico.

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